AOT502. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT502

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 33 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT502

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT502 даташит

 ..1. Size:315K  aosemi
 aot502.pdf pdf_icon

AOT502

AOT502 Clamped N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Clamped AOT502 uses an optimally designed temperature 60A ID (at VGS=10V) compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET,

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot502.pdf pdf_icon

AOT502

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT502 FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =33V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:448K  aosemi
 aot500.pdf pdf_icon

AOT502

AOT500L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features AOT500 uses an optimally designed temperature compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage VDS (V) = Clamped conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET, ID = 80A (VGS = 10V) safely dissipating the energy in the MOSFET. RDS(ON)

Другие IGBT... AOT470, AOT472, AOT474, AOT480L, AOT482L, AOT4N60, AOT4S60, AOT500, AO3400A, AOT5N100, AOT5N50, AOT5N60, AOT7N60, AOT7N65, AOT7N70, AOT7S60, AOT7S65