Справочник MOSFET. AOT8N80

 

AOT8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT8N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  aosemi
aot8n80.pdfpdf_icon

AOT8N80

AOT8N80/AOTF8N80800V, 7.4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS900V@150The AOT8N80 & AOTF8N80 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7.4Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:441K  aosemi
aot8n60.pdfpdf_icon

AOT8N80

AOT8N60/AOTF8N60600V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT8N60 & AOTF8N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:159K  aosemi
aot8n50.pdfpdf_icon

AOT8N80

AOT8N50/AOTF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT8N50 & AOTF8N50 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:154K  aosemi
aot8n65.pdfpdf_icon

AOT8N80

AOT8N65/AOTF8N65650V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOT8N65 & AOTF8N65 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOT7N60 , AOT7N65 , AOT7N70 , AOT7S60 , AOT7S65 , AOT8N50 , AOT8N60 , AOT8N65 , IRF9640 , AOT9N40 , AOT9N50 , AOT9N70 , AOTF10N50FD , AOTF10N60 , AOTF10N65 , AOTF10N90 , AOTF10T60 .

History: APT1201R6BVFRG | ZXMD63P03X | 2SJ259 | IPB051NE8NG | 16N50 | 2SJ605-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.