AOTF16N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF16N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF16N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF16N50 даташит

 ..1. Size:490K  aosemi
 aot16n50 aotf16n50.pdf pdf_icon

AOTF16N50

AOT16N50/AOTF16N50 500V, 16A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT16N50 & AOTF16N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 16A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:160K  aosemi
 aotf16n50.pdf pdf_icon

AOTF16N50

AOT16N50/AOTF16N50 500V, 16A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT16N50 & AOTF16N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 16A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:226K  inchange semiconductor
 aotf16n50.pdf pdf_icon

AOTF16N50

isc N-Channel Mosfet Transistor AOTF16N50 FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Low ON Resistance R = 0.37 (Max) DS(on) Low leakage current Fast Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for high efficiency switch mode power supply. ABSOLUTE

 8.1. Size:490K  aosemi
 aotf160a60l aot160a60l aob160a60l.pdf pdf_icon

AOTF16N50

AOTF160A60L/AOT160A60L/AOB160A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF12T50PL, AOTF12T60, AOTF12T60P, AOTF13N50, AOTF14N50, AOTF14N50FD, AOTF15S60, AOTF15S65, AON6414A, AOTF18N65, AOTF20C60, AOTF20N40, AOTF20N60, AOTF20S60, AOTF22N50, AOTF240L, AOTF256L