AOW20S60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOW20S60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 266 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 68 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.199 Ohm
Тип корпуса: TO-262
AOW20S60 Datasheet (PDF)
aow20s60.pdf
AOW20S60/AOWF20S60TM600V 20A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricatedusing the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 80Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.199robustness in switching applications. Qg,typ 20nCBy providing low RDS(on), Qg a
aow20s60.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOW20S60FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.199(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
aow20c60.pdf
AOW20C60600V,20A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700The AOW20C60 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high IDM 145Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON),max
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
