APT50M80B2LC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT50M80B2LC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TMAX

Аналог (замена) для APT50M80B2LC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT50M80B2LC даташит

 ..1. Size:34K  apt
 apt50m80b2lc.pdf pdf_icon

APT50M80B2LC

APT50M80B2LC APT50M80LLC 500V 58A 0.080W B2LC TM POWER MOS VI T-MAX Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage TO-264 N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, LLC delivers exceptionally fas

 4.1. Size:33K  apt
 apt50m80b2vfr.pdf pdf_icon

APT50M80B2LC

APT50M80B2VFR 500V 58A 0.080W POWER MOS V FREDFET T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche T

 4.2. Size:94K  apt
 apt50m80b2vfrg apt50m80lvfrg.pdf pdf_icon

APT50M80B2LC

APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080 POWER MOS V FREDFET TM T-Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 4.3. Size:36K  apt
 apt50m80b2vr.pdf pdf_icon

APT50M80B2LC

APT50M80B2VR APT50M80LVR 500V 58A 0.080W B2VR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR Identical Specificatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50M65B2LL, APT50M65JFLL, APT50M65JLL, APT50M75B2FLL, APT50M75B2LL, APT50M75JFLL, APT50M75JLL, APT50M75JLLU2, AO4468, APT50M80B2VFR, APT50M80B2VR, APT50M80JLC, APT50M85B2VFR, APT50M85B2VR, APT5560AN, APT6010B2LL, APT6010JFLL