APT60M80L2VR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT60M80L2VR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 530 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 1450 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для APT60M80L2VR
APT60M80L2VR Datasheet (PDF)
apt60m80l2vr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT60M80L2VR600V 65A 0.080WPOWER MOS VTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package 100% Avalanche TestedD
apt60m80l2vrg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT60M80L2VR600V 65A 0.080 POWER MOS V MOSFETL2VRTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Pack
apt60m80l2vfrg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT60M80L2VFR600V 65A 0.080 POWER MOS V FREDFETL2VFRTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX P
apt60m80jvr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT60M80JVR600V 55A 0.080POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Popular SOT-227
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .