Справочник MOSFET. FQA19N20C

 

FQA19N20C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQA19N20C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 53 nC

Время нарастания (tr): 150 ns

Выходная емкость (Cd): 195 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для FQA19N20C

 

 

FQA19N20C Datasheet (PDF)

1.1. fqa19n20c.pdf Size:868K _fairchild_semi

FQA19N20C
FQA19N20C

® QFET FQA19N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 21.8A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 40.5 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially tailored to •

2.1. fqa19n20l.pdf Size:731K _upd-mosfet

FQA19N20C
FQA19N20C

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V LOGIC N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 25A, 200V, RDS(on) = 0.14Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has b

 4.1. fqa19n60.pdf Size:583K _fairchild_semi

FQA19N20C
FQA19N20C

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA19N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 18.5A, 600V, RDS(on) = 0.38 ? @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 70 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially

Другие MOSFET... SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , 2SK3562 , FQA38N30 , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366_F085 , FCH077N65F_F085 , FCH190N65F_F085 , FQT2P25 .

Back to Top