FDMQ86530L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDMQ86530L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 299 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
Тип корпуса: MLP4.5X5
Аналог (замена) для FDMQ86530L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDMQ86530L даташит
fdmq86530l.pdf
April 2013 FDMQ86530L GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 8 A, 17.5 m Features General Description This Quad MOSFET solution provides ten-fold improvement in Max rDS(on) = 17.5 m at VGS = 10 V, ID = 8 A power dissipation over diode bridge. Max rDS(on) = 23 m at VGS = 6 V, ID = 7 A Max rDS(on) = 25 m at VGS = 4.5
fdmq86530l.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fdmq8403.pdf
July 2012 FDMQ8403 GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 6 A, 110 m Features General Description This quad MOSFET solution provides ten-fold improvement in Max rDS(on) = 110 m at VGS = 10 V, ID = 3 A power dissipation over diode bridge. Max rDS(on) = 175 m at VGS = 6 V, ID = 2.4 A Substantial efficiency benefit in PD
fdmq8203.pdf
December 2011 FDMQ8203 GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers Dual N-Channel and Dual P-Channel PowerTrench MOSFET N-Channel 100 V, 6 A, 110 m P-Channel -80 V, -6 A, 190 m Features General Description Q1/Q4 N-Channel This quad mosfet solution provides ten-fold improvement in power dissipation over diode bridge. Max rDS(on) = 110 m at VGS = 10 V, ID = 3
Другие MOSFET... FCB20N60FF085 , FDMS8570SDC , FDMC8588DC , FDMS8558SDC , FDMC86160 , FDB2552F085 , FDMS86150 , FDMC89521L , 20N60 , FDB035AN06F085 , FCP260N60E , FCPF260N60E , FCU900N60Z , FDMC7208S , FDB9403F085 , FCP600N60Z , FCPF600N60Z .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet




