FCH072N60F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCH072N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 199 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FCH072N60F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCH072N60F даташит
fch072n60f.pdf
December 2013 FCH072N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 52 A, 72 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 65 m charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This techno
fch072n60f f085.pdf
November 2014 FCH072N60F_F085 N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 52 A, 72 m D Features Typical RDS(on) = 62 m at VGS = 10 V, ID = 26 A Typical Qg(tot) = 160 nC at VGS = 10V, ID = 26 A UIS Capability G Qualified to AEC Q101 G RoHS Compliant D TO-247 S S Description SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new For current package drawing,
fch072n60f.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fch072n60f.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCH072N60F FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source
Другие MOSFET... FDB38N30U , FDB070AN06F085 , FDD1600N10ALZ , FCD380N60E , FCD900N60Z , FCD600N60Z , FDD1600N10ALZD , FDD850N10LD , K4145 , FDMB2308PZ , FDMS3669S , FDZ1323NZ , FDPC8012S , FDMS86152 , FDN537N , FDB9406F085 , FDD120AN15F085 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792










