FCD620N60ZF - описание и поиск аналогов

 

FCD620N60ZF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD620N60ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FCD620N60ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD620N60ZF даташит

 ..1. Size:619K  fairchild semi
 fcd620n60zf.pdf pdf_icon

FCD620N60ZF

November 2013 FCD620N60ZF N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 7.3 A, 620 m Features Description 650 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 528 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)

Другие MOSFET... FCH104N60F , FDMS86350 , FDU6N25 , HUF76419SF085 , FDMS86252L , FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , 5N60 , FDMS3660AS , FDMS86202 , FQPF2N80YDTU , FCP190N60GF102 , FDB42AN15F085 , FDPF7N50U , FQP2N40 , FCP104N60F .

History: IPP111N15N3G | FDMS3660AS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.