Справочник MOSFET. FCD620N60ZF

 

FCD620N60ZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCD620N60ZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для FCD620N60ZF

 

 

FCD620N60ZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:619K  fairchild semi
 fcd620n60zf.pdf

FCD620N60ZF FCD620N60ZF

November 2013FCD620N60ZFN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 7.3 A, 620 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 528 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top