FCD620N60ZF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FCD620N60ZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FCD620N60ZF
FCD620N60ZF Datasheet (PDF)
fcd620n60zf.pdf
November 2013FCD620N60ZFN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 7.3 A, 620 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 528 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)
Другие MOSFET... FCH104N60F , FDMS86350 , FDU6N25 , HUF76419SF085 , FDMS86252L , FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , 10N65 , FDMS3660AS , FDMS86202 , FQPF2N80YDTU , FCP190N60GF102 , FDB42AN15F085 , FDPF7N50U , FQP2N40 , FCP104N60F .
History: ME20P03 | FDPF7N50U
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH402C | AGMH20P15D | AGMH18N20C | AGMH1405C | AGMH12N10I | AGMH12N10D | AGMH065N10A | AGMH056N08HM1 | AGMH056N08C | AGMH056N08A | AGMH03N85C | AGMH035N10H | AGMH035N10C | AGMH035N10A | AGMH022P10H | AGM3404E
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883


