Справочник MOSFET. FDMS36101LF085

 

FDMS36101LF085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDMS36101LF085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6

 Аналог (замена) для FDMS36101LF085

 

 

FDMS36101LF085 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:421K  fairchild semi
 fdms36101l f085.pdf

FDMS36101LF085 FDMS36101LF085

June 2013FDMS36101L_F085N-Channel Power Trench MOSFET100V, 38A, 26m Features Typ rDS(on) = 18m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 70nC at VGS = 10V, ID = 20A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator Primary Switch for 12V Sy

 6.1. Size:374K  fairchild semi
 fdms3610s.pdf

FDMS36101LF085 FDMS36101LF085

December 2011FDMS3610SPowerTrench Power Stage25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFETFeaturesGeneral DescriptionQ1: N-ChannelThis device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a Max rDS(on) = 5.0 m at VGS = 10 V, ID = 17.5 Adual PQFN package. The switch node has been internally Max rDS(on) = 5.7 m at VGS = 4.5 V, ID = 16 A connected to enable easy placement and ro

 7.1. Size:560K  fairchild semi
 fdms3615s.pdf

FDMS36101LF085 FDMS36101LF085

August 2011FDMS3615SPowerTrench Power Stage25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFETFeatures General DescriptionQ1: N-ChannelThis device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally Max rDS(on) = 5.8 m at VGS = 10 V, ID = 16 Aconnected to enable easy placement and routing of synchronous Max rDS(on) = 8.3 m at VGS =

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top