FDMS36101LF085 - описание и поиск аналогов

 

FDMS36101LF085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDMS36101LF085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для FDMS36101LF085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMS36101LF085 даташит

 4.1. Size:421K  fairchild semi
fdms36101l f085.pdfpdf_icon

FDMS36101LF085

June 2013 FDMS36101L_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 38A, 26m Features Typ rDS(on) = 18m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 70nC at VGS = 10V, ID = 20A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator Primary Switch for 12V Sy

 6.1. Size:374K  fairchild semi
fdms3610s.pdfpdf_icon

FDMS36101LF085

December 2011 FDMS3610S PowerTrench Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features General Description Q1 N-Channel This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a Max rDS(on) = 5.0 m at VGS = 10 V, ID = 17.5 A dual PQFN package. The switch node has been internally Max rDS(on) = 5.7 m at VGS = 4.5 V, ID = 16 A connected to enable easy placement and ro

 7.1. Size:560K  fairchild semi
fdms3615s.pdfpdf_icon

FDMS36101LF085

August 2011 FDMS3615S PowerTrench Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features General Description Q1 N-Channel This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally Max rDS(on) = 5.8 m at VGS = 10 V, ID = 16 A connected to enable easy placement and routing of synchronous Max rDS(on) = 8.3 m at VGS =

Другие MOSFET... FQP2N40 , FCP104N60F , FCH47N60FF085 , FDMC8032L , NDS351N , FDMA8051L , FDMA86551L , FDMC612PZ , IRFB31N20D , FDMD82100 , FDPC8014S , FDMC610P , FDMC86261P , FCB20N60F085 , FDPC8016S , FCPF400N80Z , FCH47N60F085 .

History: FDB42AN15F085

 

 

 


 
↑ Back to Top
.