FDN86265P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDN86265P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: SSOT3
Аналог (замена) для FDN86265P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDN86265P даташит
fdn86265p.pdf
May 2014 FDN86265P P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -0.8 A, 1.2 Features General Description This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 1.2 at VGS = -10 V, ID = -0.8 A Semiconductor s advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 1.4 at VGS = -6 V, ID = -0.7 A been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switch
fdn86246.pdf
December 2010 FDN86246 N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 1.6 A, 261 m Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 261 m at VGS = 10 V, ID = 1.6 A Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 359 m at VGS = 6 V, ID = 1.4 A been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness. High pe
fdn8601.pdf
July 2010 FDN8601 N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 2.7 A, 109 m Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 109 m at VGS = 10 V, ID = 1.5 A Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 175 m at VGS = 6 V, ID = 1.2 A been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness. High perform
fdn86501lz.pdf
April 2015 FDN86501LZ N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 2.6 A, 116 m Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Shielded Gate MOSFET Technology Semiconductor s advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 116 m at VGS = 10 V, ID = 2.6 A incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for rDS(on),
Другие MOSFET... FDBL9401F085 , FDD9409F085 , FDMA86265P , FDMC86265P , FDMD82100L , FCH041N65F , FCH130N60 , FCH170N60 , 7N65 , FCH077N65F , FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU , FDPF51N25RDTU .
History: CSD75204W15
History: CSD75204W15
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a






