Справочник MOSFET. 2SK266

 

2SK266 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK266
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0006 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 650 Ohm
   Тип корпуса: YSTM
 

 Аналог (замена) для 2SK266

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK266 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:385K  toshiba
2sk2661.pdfpdf_icon

2SK266

2SK2661 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV) 2SK2661 Chopper Regulator, DCDC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drainsource ON resistance : RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancementmode : Vth = 2

 0.2. Size:414K  toshiba
2sk2662.pdfpdf_icon

2SK266

2SK2662 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2662 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V =

 0.3. Size:23K  panasonic
2sk2660.pdfpdf_icon

2SK266

Power F-MOS FETs 2SK7582SK2660(Tentative)Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features6.5 0.1 High-speed switching5.3 0.14.35 0.1 High drain-source voltage (VDSS)3.0 0.1 Applications High-speed switching1.0 0.10.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.14.6 0.1 0.05 to 0.15 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 : Gate1 2 32 : DrainParameter Symbol Ratin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.