BRD1N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BRD1N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BRD1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD1N60 даташит

 ..1. Size:1109K  blue-rocket-elect
 brd1n60.pdf pdf_icon

BRD1N60

BRD1N60(BRCS1N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие IGBT... BRB7N80, BRB80N06, BRB80N08, BRB80N10, BRD15P06, BRD17N10, BRD18N06, BRD18P06, 4N60, BRD20N03, BRD2N60, BRD2N65, BRD3N25, BRD3N80, BRD4N60, BRD4N65, BRD50N03