Справочник MOSFET. FS8205A

 

FS8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FS8205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 19.5 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для FS8205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  can-sheng
 fs8205a tssop-8.pdf pdf_icon

FS8205A

 ..2. Size:302K  fortune semi
 fs8205a.pdf pdf_icon

FS8205A

REV. 1.2 FS8205A-DS-12_EN AUG 2009Datasheet FS8205A Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET OnlyFSCPropertiesReferenceForFS8205A Fortune Semiconductor Corporation 28F., No.27, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd., Danshui Town, Taipei County 251, Taiwan Tel.886-2-28094742 Fax886-2-28094874 www.ic-fortune.com This manual contai

 ..3. Size:4365K  fuxinsemi
 fs8205a.pdf pdf_icon

FS8205A

FS8205AN-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 25m@4.5V 20V 6A 32m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Battery protection High density cell design for ultra low on-resistance Switching application Package Circuit diagramSOT-23-6L Marking G1 D1/D2 G2 8205AS1 D1/D2 S2 www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS

 ..4. Size:1795K  cn tech public
 fs8205a.pdf pdf_icon

FS8205A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BRF8N80 , CS1N60D , CS2N60D , CS4N60D , CS1N60 , CS4N65 , CS2300 , CS8205 , IRF3710 , CS2301 , CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 .

History: NCEP080N12I | ME2301S-G | SSF8N80F | STP30NM60ND | IPD80R600P7 | IPA057N08N3

 

 
Back to Top

 


 
.