Справочник MOSFET. HUF76439S3S

 

HUF76439S3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF76439S3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76439S3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  fairchild semi
 huf76439s3s.pdf pdf_icon

HUF76439S3S

HUF76439P3, HUF76439S3SData Sheet December 200171A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical

 0.1. Size:209K  fairchild semi
 huf76439s3st.pdf pdf_icon

HUF76439S3S

HUF76439P3, HUF76439S3SData Sheet December 200171A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical

 7.1. Size:215K  fairchild semi
 huf76437s3st.pdf pdf_icon

HUF76439S3S

HUF76437P3, HUF76437S3SData Sheet December 200164A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.017, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

 7.2. Size:221K  fairchild semi
 huf76432p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF76439S3S

HUF76432P3, HUF76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF76429D3S , HUF76429P3 , HUF76429S3S , HUF76432P3 , HUF76432S3S , HUF76437P3 , HUF76437S3S , HUF76439P3 , IRF530 , HUF76443P3 , HUF76443S3S , HUF76445P3 , HUF76445S3S , HUF76609D3 , HUF76609D3S , HUF76619D3 , HUF76619D3S .

History: TDM3430 | UT3N10L-K08-3030-R

 

 
Back to Top

 


 
.