2SJ264. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SJ264
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220ML
Аналог (замена) для 2SJ264
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SJ264 даташит
2sj264.pdf
Ordering number EN4746 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ264 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ264] Micaless package facilitating easy mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO
2sj265.pdf
Ordering number EN4235 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ265 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ265] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO
2sj263.pdf
Ordering number EN4234 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ263 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ263] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO
2sj267.pdf
Ordering number EN4747 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ267 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2090A Low-voltage drive. [2SJ267] Surface mount type device making the following 10.2 4.5 1.3 possible. Reduction in the assembling time for 2SJ267- applied equipment. High-density
Другие IGBT... 2SK1897, 2SK1898, 2SK1899, 2SJ591LS, 2SJ594, 2SJ595, 2SJ596, 2SJ263, 75N75, 2SJ265, 2SJ266, 2SJ267, 2SJ268, 2SJ272, 2SJ273, 2SJ274, 2SJ275
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381






