Справочник MOSFET. 2SJ569LS

 

2SJ569LS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ569LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220FI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ569LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  sanyo
 2sj569ls.pdf pdf_icon

2SJ569LS

Ordering number : ENN68982SJ569LSP-Channel Silicon MOSFET2SJ569LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistance.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2078B[2SJ569]4.510.02.83.20.91.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CPa

 9.1. Size:361K  toshiba
 2sj567.pdf pdf_icon

2SJ569LS

2SJ567 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV) 2SJ567 Industrial Applications Switching Applications Unit: mm Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 2.0 S (typ.) fs Low leakage current: I = -100 A (max) (V =

 9.2. Size:147K  sanyo
 2sj562.pdf pdf_icon

2SJ569LS

Ordering number:ENN6096AP-Channel Silicon MOSFET2SJ562Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2062A 2.5V drive.[2SJ562]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Gate0.752 : Drain3 : SourceSANYO : PCP(Bottom view)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C

 9.3. Size:140K  sanyo
 2sj563.pdf pdf_icon

2SJ569LS

Ordering number:ENN6097AP-Channel Silicon MOSFET2SJ563Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2062A 4V drive.[2SJ563]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Gate0.752 : Drain3 : SourceSANYO : PCP(Bottom view)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CPa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BUZ37 | IPW60R070P6 | IRC330 | R6524KNX | AON7436 | NCE60P45AK | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.