SSF10N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF10N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSF10N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF10N60F даташит

 ..1. Size:528K  silikron
 ssf10n60f.pdf pdf_icon

SSF10N60F

 6.1. Size:255K  fairchild semi
 ssf10n60a.pdf pdf_icon

SSF10N60F

SSF10N60A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) 0.646 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

 6.2. Size:531K  silikron
 ssf10n60.pdf pdf_icon

SSF10N60F

 7.1. Size:532K  silikron
 ssf10n65.pdf pdf_icon

SSF10N60F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF1020D, SSF1030, SSF1030B, SSF1030D, SSF1090, SSF1090A, SSF1090D, SSF10N60, IRFZ24N, SSF10N65, SSF10N90F1, SSF1109, SSF1116, SSF1116A, SSF1122, SSF1122D, SSF11NS60