SSF1N80D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF1N80D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSF1N80D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF1N80D даташит

 ..1. Size:400K  silikron
 ssf1n80d.pdf pdf_icon

SSF1N80D

 7.1. Size:360K  silikron
 ssf1n80g5.pdf pdf_icon

SSF1N80D

 9.1. Size:401K  silikron
 ssf1n90d.pdf pdf_icon

SSF1N80D

Другие IGBT... SSF1502D, SSF1502G5, SSF1504D, SSF1526, SSF1530, SSF18N50F, SSF18NS60, SSF18NS60F, IRF540N, SSF1N80G5, SSF1N90D, SSF20N50UH, SSF20N60H, SSF20NS60, SSF20NS60F, SSF20NS65, SSF20NS65F