SSF2841. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2841

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для SSF2841

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2841 даташит

 ..1. Size:315K  silikron
 ssf2841.pdf pdf_icon

SSF2841

SSF2841 DESCRIPTION The SSF2841 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -0.7V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -5A RDS(ON)

 9.1. Size:533K  silikron
 ssf2814eh2.pdf pdf_icon

SSF2841

SSF2814EH2 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description

 9.2. Size:286K  silikron
 ssf2814e.pdf pdf_icon

SSF2841

SSF2814E DESCRIPTION The SSF2814E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

 9.3. Size:528K  silikron
 ssf2810eh2.pdf pdf_icon

SSF2841

SSF2810EH2 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 10m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF26NS60, SSF26NS60A, SSF2701, SSF2810EH2, SSF2814E, SSF2814EH2, SSF2816E, SSF2816EB, TK10A60D, SSF2N60, SSF2N60D, SSF2N60D2, SSF2N60F, SSF2N60G, SSF3002EG1, SSF3018, SSF3018D