SSF3904A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF3904A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 748 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для SSF3904A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF3904A даташит

 ..1. Size:534K  silikron
 ssf3904a.pdf pdf_icon

SSF3904A

SSF3904A Main Product Characteristics VDSS 30V RDS(on) 2.6m (typ.) ID 120A Marking and pin TO263 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:963K  goodark
 ssf3904u.pdf pdf_icon

SSF3904A

SSFT3904U 35V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 35V SSFT3904U SSFT3904U RDS(on) 3.0mohm(typ.) ID 110A TO-220 Ma r ki ng an d Pin Schematic Diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge

 9.1. Size:570K  silikron
 ssf3944j7-hf.pdf pdf_icon

SSF3904A

SSF3944J7-HF Main Product Characteristics VDSS 30V RDS(on) 1.6m (typ.) ID 150A PPAK5*6-8L Schematic diagram Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating te

 9.2. Size:544K  silikron
 ssf3960j7-hf.pdf pdf_icon

SSF3904A

SSF3960J7-HF Main Product Characteristics VDSS 30V RDS(on) 1.9m (typ.) ID 130A PPAK5*6-8L Schematic diagram Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF3620, SSF3624, SSF3626, SSF3637, SSF3637S, SSF3639C, SSF3641, SSF3745, IRF840, SSF3944J7-HF, SSF3960J7-HF, SSF3N80D, SSF3N80F, SSF4004, SSF4004S, SSF4015, SSF4031C1