SSS1004. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSS1004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 141 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSS1004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS1004 даташит

 ..1. Size:482K  silikron
 sss1004.pdf pdf_icon

SSS1004

SSS1004 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 3.7m (typ.) ID 180A Marking a nd p in TO-220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 17

 0.1. Size:362K  silikron
 sss1004a7.pdf pdf_icon

SSS1004

SSS1004A7 Main Product Characteristics VDSS 100V 1, Gate RDS(on) 3.0m (typ.) 2 3,5 7 Source 4,8 Drain ID 180A Schematic diagram TO-263-7L Pin Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

 9.1. Size:504K  samsung
 sss10n60a.pdf pdf_icon

SSS1004

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current 25 (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) 0.646 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.2. Size:14125K  shenzhen
 sss10n60.pdf pdf_icon

SSS1004

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS10N60 N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 10.0 A ID 600 V VDSS Rdson 0.75 @Vgs=10V 34 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF5NS65UF, SSF5NS65UG, SSF5NS70G, SSF5NS70D, SSF5NS70F, SSF5NS70GB, SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, IRFB3607, SSS1004A7, SSS1206, SSS1206H, SSS1510, SSF11NS65UF, SSF6005, SSF6007, SSF6008