SSF6007. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6007

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SSF6007

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6007 даташит

 ..1. Size:503K  silikron
 ssf6007.pdf pdf_icon

SSF6007

SSF6007 Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

 ..2. Size:370K  goodark
 ssf6007.pdf pdf_icon

SSF6007

SSF6007 50V P-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Mark in g a nd P i n Sc hema t ic D i a gra m SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and genera

 8.1. Size:597K  silikron
 ssf6008.pdf pdf_icon

SSF6007

SSF6008 Feathers ID =84A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=8m Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF6008 is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical parameter

 8.2. Size:339K  silikron
 ssf6005.pdf pdf_icon

SSF6007

SSF6005 Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 2.7m (typ.) ID 160A Marking and pin TO-220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7, SSS1206, SSS1206H, SSS1510, SSF11NS65UF, SSF6005, IRFP450, SSF6008, SSF6010, SSF6010A, SSF6014, SSF6014A, SSF6014D, SSF6014J7, SSF6014J8