Справочник MOSFET. P4506BV

 

P4506BV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P4506BV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 188 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P4506BV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P4506BV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  unikc
p4506bv.pdfpdf_icon

P4506BV

P4506BVN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = 10V60V 5.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C5.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4.5AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Cu

 8.1. Size:482K  unikc
p4506bd.pdfpdf_icon

P4506BV

P4506BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = 10V60V 22ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C22IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC18IDM80Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:130K  toshiba
mp4506.pdfpdf_icon

P4506BV

MP4506 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4506 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Package with heat sink isolated to lead (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : P = 5 W (Ta =

 9.2. Size:116K  ape
ap4506geh-hf.pdfpdf_icon

P4506BV

AP4506GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thede

Другие MOSFET... P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , IRF540N , P45N02LDG , P45N02LI , P45N03LTFG , P0460AD , P0460AI , P0460AS , P0460AT , P0460ATF .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | 7409B | HGN080N10SL | SSM3K116TU | PD696BA

 

 
Back to Top

 


 
.