Справочник MOSFET. P0460EIS

 

P0460EIS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0460EIS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251IS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460EIS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  unikc
 p0460eis.pdf pdf_icon

P0460EIS

P0460EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5

 7.1. Size:794K  unikc
 p0460ei.pdf pdf_icon

P0460EIS

P0460EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

 8.1. Size:809K  unikc
 p0460ed.pdf pdf_icon

P0460EIS

P0460EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

 8.2. Size:470K  unikc
 p0460etf.pdf pdf_icon

P0460EIS

P0460ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-220F 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP60WN4K5H | AP9566GH | STD155N3H6 | IRFL024Z | IRF3707SPBF | 2SK3133 | IXKP13N60C5M

 

 
Back to Top

 


 
.