Справочник MOSFET. P0465ATFS

 

P0465ATFS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0465ATFS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0465ATFS Datasheet (PDF)

 6.1. Size:515K  unikc
 p0465atf-s.pdf pdf_icon

P0465ATFS

P0465ATF / P0465ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.5 @VGS = 10V650V 4ATO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC2.2IDM

 8.1. Size:544K  unikc
 p0465ad.pdf pdf_icon

P0465ATFS

P0465ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.5 @VGS = 10V650V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5 AIDM7Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:422K  unikc
 p0465cd.pdf pdf_icon

P0465ATFS

P0465CDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V650V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain Current2TC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 9.2. Size:428K  unikc
 p0465cs.pdf pdf_icon

P0465ATFS

P0465CSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6m @VGS = 10V650V 4ATO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GSM2304 | SIHG47N60S | CS8N65D | 9N95 | RSS060P05 | EKI06051 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.