P0903BDG - описание и поиск аналогов

 

Аналоги P0903BDG. Основные параметры


   Наименование производителя: P0903BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P0903BDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0903BDG даташит

 ..1. Size:532K  unikc
 p0903bdg.pdf pdf_icon

P0903BDG

P0903BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 10V 25V 56A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 56 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 35 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:455K  unikc
 p0903bdl.pdf pdf_icon

P0903BDG

P0903BDL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25V 9.5m @VGS = 10V 56A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 56 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 35 A IDM 160 Pulsed Drain Current

 7.2. Size:493K  unikc
 p0903bda.pdf pdf_icon

P0903BDG

P0903BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 56A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 56 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 35 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

 7.3. Size:521K  unikc
 p0903bd.pdf pdf_icon

P0903BDG

P0903BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 57A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 57 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 36 A IDM 160 Pulsed Drain Current1 I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , IRFB31N20D , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB , P0603BDD , P0603BDF , P0603BDG , P0603BDL , P0603BEAD .

History: BRCS080N04ZB | APT50M75B2LL

 

 
Back to Top

 


 
.