Справочник MOSFET. P0660AT

 

P0660AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0660AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0660AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0660AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  unikc
p0660at.pdfpdf_icon

P0660AT

P0660ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.25 @VGS = 10V600V 6ATO-220100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C6IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4.3 AIDM20Pul

 0.1. Size:459K  unikc
p0660atf.pdfpdf_icon

P0660AT

P0660ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 1.25 @VGS = 10V 6ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C6IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4.3AIDM20Pulsed Drain Curre

 8.1. Size:630K  unikc
p0660as.pdfpdf_icon

P0660AT

P0660ASN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.25 @VGS = 10V600V 6ATO-263100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C6IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4.3AIDM20Pu

 9.1. Size:744K  niko-sem
p0660ed.pdfpdf_icon

P0660AT

N-Channel Enhancement Mode P0660ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G600V 1.35 6A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 2

Другие MOSFET... P0603BT , P0603BV , P0604BD , P0610BTF , P062ABD8 , P062ABDD , P062ABDF , P0660AS , 5N50 , P0660ATF , P0690ATF , P0690ATFS , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG .

History: SQJ570EP | P0550ED

 

 
Back to Top

 


 
.