P0660AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0660AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0660AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0660AT даташит

 ..1. Size:626K  unikc
 p0660at.pdf pdf_icon

P0660AT

P0660AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.25 @VGS = 10V 600V 6A TO-220 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.3 A IDM 20 Pul

 0.1. Size:459K  unikc
 p0660atf.pdf pdf_icon

P0660AT

P0660ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 1.25 @VGS = 10V 6A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.3 A IDM 20 Pulsed Drain Curre

 8.1. Size:630K  unikc
 p0660as.pdf pdf_icon

P0660AT

P0660AS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.25 @VGS = 10V 600V 6A TO-263 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.3 A IDM 20 Pu

 9.1. Size:744K  niko-sem
 p0660ed.pdf pdf_icon

P0660AT

N-Channel Enhancement Mode P0660ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 600V 1.35 6A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0603BT, P0603BV, P0604BD, P0610BTF, P062ABD8, P062ABDD, P062ABDF, P0660AS, AON6426, P0660ATF, P0690ATF, P0690ATFS, P06B03LVG, P06P03LCG, P06P03LCGA, P06P03LDG, P06P03LVG