Справочник MOSFET. P06P03LCG

 

P06P03LCG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P06P03LCG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для P06P03LCG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P06P03LCG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  1
 p06p03lcg.pdf pdf_icon

P06P03LCG

P-Channel Logic Level Enhancement P06P03LCGNIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-89Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY 1. GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2. DRAIN G3. SOURCE-30 45m -4A SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C -4

 ..2. Size:342K  unikc
 p06p03lcg.pdf pdf_icon

P06P03LCG

P06P03LCGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 45m @VGS = -10V -3.5ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2.8AIDM-20Pulsed Drain

 ..3. Size:342K  niko-sem
 p06p03lcg.pdf pdf_icon

P06P03LCG

P06P03LCGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 45m @VGS = -10V -3.5ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2.8AIDM-20Pulsed Drain

 0.1. Size:480K  unikc
 p06p03lcga.pdf pdf_icon

P06P03LCG

P06P03LCGAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -10V-30V -4ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-20Pulsed Drain Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P062ABDD , P062ABDF , P0660AS , P0660AT , P0660ATF , P0690ATF , P0690ATFS , P06B03LVG , IRF740 , P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG , P9006EDG , P9006EI , P9006EL , P9006ESG , P9006ETF .

History: FQPF9N50CYDTU | AONS77402 | DMN4800LSS

 

 
Back to Top

 


 
.