Справочник MOSFET. P06P03LDG

 

P06P03LDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P06P03LDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P06P03LDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P06P03LDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  unikc
 p06p03ldg.pdf pdf_icon

P06P03LDG

P06P03LDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 45m @VGS = -10V -12ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-12IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-30Pulsed Drain C

 ..2. Size:492K  niko-sem
 p06p03ldg.pdf pdf_icon

P06P03LDG

P06P03LDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 45m @VGS = -10V -12ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-12IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-30Pulsed Drain C

 7.1. Size:315K  1
 p06p03lcg.pdf pdf_icon

P06P03LDG

P-Channel Logic Level Enhancement P06P03LCGNIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-89Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY 1. GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2. DRAIN G3. SOURCE-30 45m -4A SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C -4

 7.2. Size:480K  unikc
 p06p03lcga.pdf pdf_icon

P06P03LDG

P06P03LCGAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -10V-30V -4ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-20Pulsed Drain Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0660AS , P0660AT , P0660ATF , P0690ATF , P0690ATFS , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , 20N60 , P06P03LVG , P9006EDG , P9006EI , P9006EL , P9006ESG , P9006ETF , P9006EVG , P0703BD .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.