Справочник MOSFET. P3504BD

 

P3504BD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P3504BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 124 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P3504BD

 

 

P3504BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  unikc
 p3504bd.pdf

P3504BD P3504BD

P3504BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40m @VGS = 10V40V 20ATO-252100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 100% UIS testedC Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C16A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top