Справочник MOSFET. P3504BD

 

P3504BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3504BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P3504BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3504BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  unikc
 p3504bd.pdf pdf_icon

P3504BD

P3504BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40m @VGS = 10V40V 20ATO-252100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 100% UIS testedC Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C16A

Другие MOSFET... P261AFEA , P261ALV , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , RFP50N06 , P3506DD , P3506DT , P3506DTF , P3606BD , P3606HK , P4404EDG , P4404EI , P4404ETG .

History: IRF6645 | FJ350301 | RJK1526DPJ | RFP4N100 | IRFZ48RPBF | ME7423S-G | ZXM61P03F

 

 
Back to Top

 


 
.