P3504BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P3504BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P3504BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3504BD даташит

 ..1. Size:504K  unikc
 p3504bd.pdf pdf_icon

P3504BD

P3504BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40m @VGS = 10V 40V 20A TO-252 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 100% UIS tested C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 16 A

Другие IGBT... P261AFEA, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, AON7410, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD, P3606HK, P4404EDG, P4404EI, P4404ETG