IRF1010E datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRF1010E datasheet, аналоги, основные параметры

IRF1010E - это N-канальный силовой МОП-транзистор, предназначенный для коммутации с высоким током и малыми потерями. Он отличается низким сопротивлением на выходе и быстрым переключением, что делает его подходящим для DC-DC преобразователей, электроприводов, источников питания, автомобильной электроники. Устройство оптимизировано для работы со стандартными напряжениями на приводе затвора и обеспечивает хорошие тепловые характеристики при правильной термообработке. Преимущества: высокая пропускная способность по току, низкие потери электропроводности, высокая лавинообразность, широкая доступность. Недостатки: относительно высокий заряд затвора по сравнению с современными МОП-транзисторами, что может ограничивать эффективность при очень высоких частотах переключения, чувствительность к статическому разряду. Советы по проектированию и ремонту: обеспечьте достаточное напряжение на затворе для полного усиления, используйте короткие замыкания на затворе и затворный резистор для контроля, обеспечьте достаточное охлаждение, всегда проверяйте, не поврежден ли затвор оксидом при устранении неисправностей в блоках.

Наименование производителя: IRF1010E 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRF1010E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRF1010E даташит

..1. Size:241K international rectifier
irf1010epbf.pdf pdf_icon

PD - 94965B IRF1010EPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 60V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 12m l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 84A l Lead-Free S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

..2. Size:164K international rectifier
irf1010e.pdf pdf_icon

PD - 9.1670B IRF1010E HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.012 Fully Avalanche Rated G ID = 81A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thi

..3. Size:245K inchange semiconductor
irf1010e.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010E IIRF1010E FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 12m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:375K international rectifier
auirf1010ezstrl.pdf pdf_icon

PD - 95962 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUIRF1010EZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G ID (Silicon Limited) 84A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * ID (Package Limited)