P2502IZG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2502IZG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2502IZG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2502IZG даташит

 ..1. Size:423K  unikc
 p2502izg.pdf pdf_icon

P2502IZG

P2502IZG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 22m @VGS = 4.5V 20V 6.3A TSSOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA= 25 C 6.3 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 5 A IDM 50 Pulsed Drain C

 9.1. Size:351K  diodes
 zxtp25020cff.pdf pdf_icon

P2502IZG

ZXTP25020CFF 20V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23F Description Mechanical Data Advanced process capability and packaging maximize the power Case SOT23F handling and performance of this small outline transistor. The reverse Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound. blocking capability of the transistor can often result in the elimination UL Flammability

 9.2. Size:391K  diodes
 zxtp25020dz.pdf pdf_icon

P2502IZG

ZXTP25020DZ 20V PNP high gain transistor in SOT89 Summary BVCEO > -20V BVECO > -4V IC(cont) = 5A VCE(sat)

 9.3. Size:426K  diodes
 zxtp25020cfh.pdf pdf_icon

P2502IZG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2103HVG, P2103NVG, P2202CM, P2202CM6, P2202CV, P2204ND5G, P2206BD, P2402OV, EMB04N03H, P8008BD, P8008BDA, P8008BV, P8008BVA, P8008HV, P8008HVA, P8010BD, P8010BIS