P8008BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P8008BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 290 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P8008BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P8008BD даташит

 ..1. Size:651K  unikc
 p8008bd.pdf pdf_icon

P8008BD

P8008BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 80m @VGS = 10V 80V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 60 Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:736K  unikc
 p8008bda.pdf pdf_icon

P8008BD

P8008BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 68m @VGS = 10V 80V 16A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 16 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 50 Pulsed Drain Current1

 0.2. Size:345K  niko-sem
 p8008bda.pdf pdf_icon

P8008BD

N-Channel Enhancement Mode P8008BDA NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 80V 68m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 80 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

 8.1. Size:450K  unikc
 p8008bva.pdf pdf_icon

P8008BD

P8008BVA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 68m @VGS = 10V 80V 3.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C 3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.8 A IDM 14 Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2103NVG, P2202CM, P2202CM6, P2202CV, P2204ND5G, P2206BD, P2402OV, P2502IZG, RU7088R, P8008BDA, P8008BV, P8008BVA, P8008HV, P8008HVA, P8010BD, P8010BIS, P8010BV