Справочник MOSFET. P8008BD

 

P8008BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P8008BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 290 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P8008BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P8008BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  unikc
 p8008bd.pdf pdf_icon

P8008BD

P8008BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID80m @VGS = 10V80V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM60Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:736K  unikc
 p8008bda.pdf pdf_icon

P8008BD

P8008BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID68m @VGS = 10V80V 16ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C16IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM50Pulsed Drain Current1

 0.2. Size:345K  niko-sem
 p8008bda.pdf pdf_icon

P8008BD

N-Channel Enhancement Mode P8008BDA NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G80V 68m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 80 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

 8.1. Size:450K  unikc
 p8008bva.pdf pdf_icon

P8008BD

P8008BVAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID68m @VGS = 10V80V 3.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.8AIDM14Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P2103NVG , P2202CM , P2202CM6 , P2202CV , P2204ND5G , P2206BD , P2402OV , P2502IZG , MMD60R360PRH , P8008BDA , P8008BV , P8008BVA , P8008HV , P8008HVA , P8010BD , P8010BIS , P8010BV .

History: R5013ANJ | IXTT30N50P | IRFP9233 | P0550ATF | IRFS614B | VBM1310 | 2SK3576

 

 
Back to Top

 


 
.