Справочник MOSFET. IRF1010N

 

IRF1010N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF1010N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRF1010N

 

 

IRF1010N Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , AON7506 , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , IRF130 , IRF1310N , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 .