IRF1010N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1010N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF1010N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010N даташит

 ..1. Size:211K  international rectifier
 irf1010n.pdf pdf_icon

IRF1010N

PD - 91278 IRF1010N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 11m G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 85A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistan

 ..2. Size:225K  international rectifier
 irf1010npbf.pdf pdf_icon

IRF1010N

PD - 94966A IRF1010NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 11m l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 85A l Lead-Free S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 ..3. Size:246K  inchange semiconductor
 irf1010n.pdf pdf_icon

IRF1010N

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010N IIRF1010N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 11m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:146K  international rectifier
 irf1010ns.pdf pdf_icon

IRF1010N

PD - 94171 IRF1010NS IRF1010NL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 11m Fully Avalanche Rated G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from ID = 85A International Rectifier utilize advanced processing S techniques to achieve extremely low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRCZ245, IRCZ345, IRCZ445, IRF044, IRF054, IRF1010E, IRF1010EL, IRF1010ES, SKD502T, IRF1010NL, IRF1010NS, IRF1104, IRF130, IRF1310N, IRF1310NL, IRF1310NS, IRF140