P3503EVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3503EVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3503EVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3503EVG даташит

 ..1. Size:480K  unikc
 p3503evg.pdf pdf_icon

P3503EVG

P3503EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 35m @VGS = -10V -30V -8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TC = 70 A C -7 IDM -30 Pulsed Drain Curr

Другие IGBT... P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, P3203EVG, P3204HV, P3304EV, P3304QV, 10N60, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK, PZ1203EV