Справочник MOSFET. P3503EVG

 

P3503EVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3503EVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P3503EVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3503EVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  unikc
 p3503evg.pdf pdf_icon

P3503EVG

P3503EVGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID35m @VGS = -10V -30V -8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTC = 70 AC-7IDM-30Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... P3055LLG , P3202CMA , P3202CMG , P3203CMG , P3203EVG , P3204HV , P3304EV , P3304QV , IRFB4227 , P3710AV , P3710BD , P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV .

History: AO3421 | PE534SA

 

 
Back to Top

 


 
.