IRF1104 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1104  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF1104

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1104 даташит

 ..1. Size:101K  international rectifier
 irf1104.pdf pdf_icon

IRF1104

PD- 9.1724A IRF1104 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.009 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 100A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

 ..2. Size:185K  international rectifier
 irf1104pbf.pdf pdf_icon

IRF1104

PD - 94967 IRF1104PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.009 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 100A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
 irf1104.pdf pdf_icon

IRF1104

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1104 IIRF1104 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:208K  international rectifier
 irf1104l.pdf pdf_icon

IRF1104

PD -91845 IRF1104S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V Surface Mount (IRF1104S) Low-profile through-hole (IRF1104L) RDS(on) = 0.009 175 C Operating Temperature G Fast Switching ID = 100A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing technique

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF044, IRF054, IRF1010E, IRF1010EL, IRF1010ES, IRF1010N, IRF1010NL, IRF1010NS, AON7410, IRF130, IRF1310N, IRF1310NL, IRF1310NS, IRF140, IRF1404, IRF141, IRF142