Справочник MOSFET. P5806NVG

 

P5806NVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5806NVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5806NVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  unikc
 p5806nvg.pdf pdf_icon

P5806NVG

P5806NVGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel65m @VGS = 10V60V 4.5A N120m @VGS = -10V-60V -3.5A PSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 60VDSDrain-Source VoltageP -60VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 4.5TA = 25 CP -3.5

Другие MOSFET... P2803NVG , P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , IRFP250N , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA .

History: UTT36N10

 

 
Back to Top

 


 
.