P5806NVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P5806NVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P5806NVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5806NVG даташит

 ..1. Size:195K  unikc
 p5806nvg.pdf pdf_icon

P5806NVG

P5806NVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 65m @VGS = 10V 60V 4.5A N 120m @VGS = -10V -60V -3.5A P SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 60 VDS Drain-Source Voltage P -60 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 4.5 TA = 25 C P -3.5

Другие IGBT... P2803NVG, P2904BD, P5010AV, P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, IRFB4115, PB521BX, PV501BA, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA