P5806NVG - аналоги и даташиты транзистора

 

P5806NVG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P5806NVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P5806NVG

 

P5806NVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  unikc
 p5806nvg.pdf pdf_icon

P5806NVG

P5806NVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 65m @VGS = 10V 60V 4.5A N 120m @VGS = -10V -60V -3.5A P SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 60 VDS Drain-Source Voltage P -60 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 4.5 TA = 25 C P -3.5

Другие MOSFET... P2803NVG , P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , IRFB4115 , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA .

History: P50N03LTG | P5803NAG

 

 
Back to Top

 


 
.