PA210BL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA210BL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA210BL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA210BL даташит

 ..1. Size:359K  unikc
 pa210bl.pdf pdf_icon

PA210BL

PA210BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 120m @VGS = 10V 3A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.9 A IDM 25 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 25

 8.1. Size:335K  unikc
 pa210bc.pdf pdf_icon

PA210BL

PA210BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 120m @VGS = 10V 3A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.9 A IDM 26 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 26 EAS

 9.1. Size:782K  unikc
 pa210hk.pdf pdf_icon

PA210BL

PA210HK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 8.7A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 8.7 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.5 IDM 25 Pulsed Drai

 9.2. Size:434K  unikc
 pa210hv.pdf pdf_icon

PA210BL

PA210HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 2.8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 2.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.3 A IDM 25 Pulsed Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PA102FMG, PA110BC, PA110BD, PA110BDA, PA110BL, PA110BV, PA203EMG, PA210BC, IRF9640, PA210HK, PA210HV, PA210HVA, PA406EM, PA410BD, PA502FMG, PA504EM, PA504EV