PA210BL - аналоги и даташиты транзистора

 

PA210BL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA210BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для PA210BL

 

PA210BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  unikc
pa210bl.pdfpdf_icon

PA210BL

PA210BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 120m @VGS = 10V 3A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.9 A IDM 25 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 25

 8.1. Size:335K  unikc
pa210bc.pdfpdf_icon

PA210BL

PA210BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 120m @VGS = 10V 3A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.9 A IDM 26 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 26 EAS

 9.1. Size:782K  unikc
pa210hk.pdfpdf_icon

PA210BL

PA210HK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 8.7A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 8.7 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.5 IDM 25 Pulsed Drai

 9.2. Size:434K  unikc
pa210hv.pdfpdf_icon

PA210BL

PA210HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 2.8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 2.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.3 A IDM 25 Pulsed Drai

Другие MOSFET... PA102FMG , PA110BC , PA110BD , PA110BDA , PA110BL , PA110BV , PA203EMG , PA210BC , IRF9640 , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , PA504EV .

History: 2SJ141 | PA210BC | 2SJ387S

 

 
Back to Top

 


 
.