PE5G6EA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE5G6EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE5G6EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 643 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P

 Аналог (замена) для PE5G6EA

 

PE5G6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  unikc
 pe5g6ea.pdf pdf_icon

PE5G6EA

PE5G6EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 2.4m @VGS = 10V 20V 72A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 12 Tc = 25 C 72 Tc = 100 C 45 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 21 A TA =

 ..2. Size:260K  niko-sem
 pe5g6ea.pdf pdf_icon

PE5G6EA

N-Channel Enhancement Mode PE5G6EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 D D D D 24V 2.4m 72A G GATE D DRAIN S SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 24 V Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , 50N06 , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF .

History: PA610NV | PK5A1BA

 

 
Back to Top

 


 
.