PE5G6EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5G6EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 643 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5G6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5G6EA даташит

 ..1. Size:846K  unikc
 pe5g6ea.pdf pdf_icon

PE5G6EA

PE5G6EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 2.4m @VGS = 10V 20V 72A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 12 Tc = 25 C 72 Tc = 100 C 45 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 21 A TA =

 ..2. Size:260K  niko-sem
 pe5g6ea.pdf pdf_icon

PE5G6EA

N-Channel Enhancement Mode PE5G6EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 D D D D 24V 2.4m 72A G GATE D DRAIN S SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 24 V Gate-Source Voltage

Другие IGBT... PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, PB5G2JU, PE5A0DZ, PE5A1BA, 50N06, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, PB210BI, PB210BM, PB210BTF