Справочник MOSFET. PE5G6EA

 

PE5G6EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5G6EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 643 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE5G6EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5G6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  unikc
 pe5g6ea.pdf pdf_icon

PE5G6EA

PE5G6EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID32.4m @VGS = 10V20V 72APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 12Tc = 25 C72Tc = 100 C45IDContinuous Drain Current3TA = 25 C21ATA =

 ..2. Size:260K  niko-sem
 pe5g6ea.pdf pdf_icon

PE5G6EA

N-Channel Enhancement Mode PE5G6EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 D D D D24V 2.4m 72A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 24 V Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , 50N06 , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF .

History: TPC8213-H | TPB70R950C | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF | NTMFS4939NT1G | FDP8N50NZU

 

 
Back to Top

 


 
.