PK608DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PK608DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
PK608DY Datasheet (PDF)
pk608dy.pdf
PK608DYN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel7m @VGS =10V30V 50A Q15.5m @VGS =10V30V 58A Q2 1 : G12,3,4 : D15,6,7 : S2 8 : G29 : S1/D2PDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSQ1 30VDSDrain-Source VoltageQ2 30VQ1 20VGSGate-Sourc
pk608dy.pdf
N-Channel Enhancement Mode Field PK608DYNIKO-SEM Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 5.5mQ2 30V 58A 2,3,4 : D1 5,6,7 : S2 Q1 30V 7m 50A 8 : G2 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 30 VGate-
pk608ba.pdf
PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt
pk608ba.pdf
PK608BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.5m @VGS = 10V40V 87APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C87IDContinuous Drain Current2Tc = 100 C55IDM150Pulsed Drain Curre
pk608ba.pdf
PK608BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G40V 3.5m 87A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volta
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918