IRF3315 - описание и поиск аналогов

 

IRF3315. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF3315

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF3315

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3315 даташит

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irf3315pbf.pdf pdf_icon

IRF3315

PD - 94825A IRF3315PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 150V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.070 G l Lead-Free Description ID = 23A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silic

 ..2. Size:124K  international rectifier
 irf3315.pdf pdf_icon

IRF3315

PD -91623A APPROVED IRF3315 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 150V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.07 Fully Avalanche Rated G Description ID = 27A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thi

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
 irf3315.pdf pdf_icon

IRF3315

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3315 IIRF3315 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 70m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Combine with the fast switching speed and ruggedized device design ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 0.1. Size:197K  international rectifier
 irf3315s.pdf pdf_icon

IRF3315

PD - 9.1617A IRF3315S/L PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF3315S) VDSS = 150V Low-profile through-hole (IRF3315L) 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.082 G Fully Avalanche Rated ID = 21A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF250 , IRF2807 , IRF2807L , IRF2807S , IRF3205 , IRF3205L , IRF3205S , IRF330 , AO3407 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.