Справочник MOSFET. IRF3315

 

IRF3315 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3315
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 95(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRF3315

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3315 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irf3315pbf.pdf pdf_icon

IRF3315

PD - 94825AIRF3315PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.070Gl Lead-FreeDescription ID = 23ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silic

 ..2. Size:124K  international rectifier
 irf3315.pdf pdf_icon

IRF3315

PD -91623AAPPROVEDIRF3315HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.07 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 27ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thi

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
 irf3315.pdf pdf_icon

IRF3315

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3315IIRF3315FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 70mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONCombine with the fast switching speed and ruggedized device designABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:197K  international rectifier
 irf3315s.pdf pdf_icon

IRF3315

PD - 9.1617AIRF3315S/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF3315S)VDSS = 150V Low-profile through-hole (IRF3315L) 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.082G Fully Avalanche RatedID = 21ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF250 , IRF2807 , IRF2807L , IRF2807S , IRF3205 , IRF3205L , IRF3205S , IRF330 , 7N60 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S .

 

 
Back to Top

 


 
.