Справочник MOSFET. IRF340


IRF340 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF340

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 65 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 250 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220SM

Аналог (замена) для IRF340



IRF340 Datasheet (PDF)

1.1. irf340 irf341 irf342 irf343.pdf Size:215K _upd


1.2. irf340.pdf Size:145K _international_rectifier


PD - 90371 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF340 400V, N-CHANNEL HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF340 400V 0.55? 10A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design achieves: very l

 5.1. irf3415spbf irf3415lpbf.pdf Size:1066K _upd


PD - 95112 IRF3415S/LPbF • Lead-Free www.irf.com 1 3/16/04 IRF3415S/LPbF 2 www.irf.com IRF3415S/LPbF www.irf.com 3 IRF3415S/LPbF 4 www.irf.com IRF3415S/LPbF www.irf.com 5 IRF3415S/LPbF 6 www.irf.com IRF3415S/LPbF www.irf.com 7 IRF3415S/LPbF D2Pak Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D2Pak Part Marking Information (Lead-Free) I I I I I I

5.2. irf3415pbf.pdf Size:203K _upd


 IRF3415PbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Ω l Lead-Free G Description S

 5.3. irf3415.pdf Size:94K _international_rectifier


PD - 91477D IRF3415 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 150V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.042? Fully Avalanche Rated G Description ID = 43A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, com

5.4. irf3415s.pdf Size:156K _international_rectifier


PD - 91509C IRF3415S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 150V Surface Mount (IRF3415S) Low-profile through-hole (IRF3415L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.042? Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 43A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-r

Другие MOSFET... IRF2807S , IRF3205 , IRF3205L , IRF3205S , IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , BUZ10 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L .

Back to Top