Справочник MOSFET. IRF3415

 

IRF3415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3415

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 43 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 133.3 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF3415

 

 

IRF3415 Datasheet (PDF)

1.1. irf3415spbf irf3415lpbf.pdf Size:1066K _upd

IRF3415 IRF3415

PD - 95112 IRF3415S/LPbF • Lead-Free www.irf.com 1 3/16/04 IRF3415S/LPbF 2 www.irf.com IRF3415S/LPbF www.irf.com 3 IRF3415S/LPbF 4 www.irf.com IRF3415S/LPbF www.irf.com 5 IRF3415S/LPbF 6 www.irf.com IRF3415S/LPbF www.irf.com 7 IRF3415S/LPbF D2Pak Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D2Pak Part Marking Information (Lead-Free) I I I I I I

1.2. irf3415pbf.pdf Size:203K _upd

IRF3415 IRF3415

 IRF3415PbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Ω l Lead-Free G Description S

 1.3. irf3415.pdf Size:94K _international_rectifier

IRF3415 IRF3415

PD - 91477D IRF3415 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 150V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.042? Fully Avalanche Rated G Description ID = 43A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, com

1.4. irf3415s.pdf Size:156K _international_rectifier

IRF3415 IRF3415

PD - 91509C IRF3415S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 150V Surface Mount (IRF3415S) Low-profile through-hole (IRF3415L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.042? Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 43A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-r

Другие MOSFET... IRF3205 , IRF3205L , IRF3205S , IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRFBC40 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S .

Back to Top