IRF4905 datasheet, аналоги, основные параметры

IRF4905 — это прочный P-канальный силовой MOSFET, предназначенный для применения в схемах переключения с высоким током и низким напряжением. Он построен с использованием передовой MOSFET-технологии и обладает низким сопротивлением в открытом состоянии около 0,02 Ом при Vgs=10В, что обеспечивает эффективную передачу мощности с минимальными потерями на проводимость. Номинальное напряжение сток-исток составляет 55В, что делает его подходящим для автомобильных приложений, управления двигателями постоянного тока и систем, работающих от батарей. Устройство поддерживает непрерывный ток стока до 74А при правильном теплоотводе и имеет высокую скорость переключения благодаря низкому заряду затвора. Это снижает потери на переключение и повышает эффективность в схемах на высоких частотах. Корпус TO-220 обеспечивает хорошую теплопередачу и простоту интеграции.

Наименование производителя: IRF4905  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF4905

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF4905 даташит

 ..1. Size:108K  international rectifier
 irf4905.pdf pdf_icon

IRF4905

PD - 9.1280C IRF4905 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.02 Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

 ..2. Size:181K  international rectifier
 irf4905pbf.pdf pdf_icon

IRF4905

PD - 94816 IRF4905PbF HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.02 G P-Channel Fully Avalanche Rated ID = -74A Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

 ..3. Size:1522K  cn vbsemi
 irf4905pbf.pdf pdf_icon

IRF4905

IRF4905PBF www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.019 at VGS = - 10 V - 53 APPLICATIONS - 60 38 nC 0.026 at VGS = - 4.5 V - 42 Load Switch TO-220AB S G D G D S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) P

 ..4. Size:241K  inchange semiconductor
 irf4905.pdf pdf_icon

IRF4905

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF4905,IIRF4905 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.02 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extremely efficient and reliab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF3710S, IRF430, IRF440, IRF450, IRF451, IRF452, IRF453, IRF460, 8N60, IRF4905L, IRF4905S, IRF510, IRF510A, IRF510S, IRF511, IRF512, IRF513