Справочник MOSFET. G96

 

G96 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G96
   Маркировка: G96
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для G96

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G96 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  goford
g96.pdfpdf_icon

G96

GOFORD G96Description DThe G96 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. SSchematic diagram General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-4.5V -16A-12V11.5m Advanced trench MOSFET pro

 0.1. Size:483K  panasonic
dmg96303.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG96303Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini5-F4-B Eco-friendly Halogen-free package

 0.2. Size:476K  panasonic
dmg96401.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG96401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG56401 in SSMini6 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini6-F3-B E

 0.3. Size:477K  panasonic
dmg9640t.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG9640TSilicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FRK460R | FDB8832 | CS910TH | IRLMS2002 | FDS8949F085 | UT2N10 | FQA11N90F109

 

 
Back to Top

 


 
.