G96 - описание и поиск аналогов

 

G96. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G96

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для G96

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G96 даташит

 ..1. Size:1399K  goford
g96.pdfpdf_icon

G96

GOFORD G96 Description D The G96 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. S Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ) -4.5V -16A -12V 11.5m Advanced trench MOSFET pro

 0.1. Size:483K  panasonic
dmg96303.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG96303 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini5-F4-B Eco-friendly Halogen-free package

 0.2. Size:476K  panasonic
dmg96401.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG96401 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits DMG56401 in SSMini6 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini6-F3-B E

 0.3. Size:477K  panasonic
dmg9640t.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG9640T Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component

Другие MOSFET... G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , AO3400 , GD1 , G22 , G23 , G11 , G16 , G17 , 03N06 , 05N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.