Справочник MOSFET. G96

 

G96 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G96
   Маркировка: G96
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G96 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  goford
g96.pdfpdf_icon

G96

GOFORD G96Description DThe G96 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. SSchematic diagram General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-4.5V -16A-12V11.5m Advanced trench MOSFET pro

 0.1. Size:483K  panasonic
dmg96303.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG96303Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini5-F4-B Eco-friendly Halogen-free package

 0.2. Size:476K  panasonic
dmg96401.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG96401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuitsDMG56401 in SSMini6 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini6-F3-B E

 0.3. Size:477K  panasonic
dmg9640t.pdfpdf_icon

G96

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG9640TSilicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PMGD290UCEA | DMTH8012LK3 | STP5NB40 | SI9945AEY-T1-E3 | SRT10N160LD | KU2307K | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.