G110N06 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

G110N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: G110N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO251 TO252

Аналог (замена) для G110N06

G110N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:1551K goford
g110n06 to252 to251.pdf

GOFORD G110N06 General Description The G110N06 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON)switching applications. Features VDSS RDS(ON) ID @10V (Typ)TO-252 TO-251 55V 5.2 m 110A Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test

..2. Size:1574K goford
g110n06 to220.pdf

GOFORD G110N06 General Description The G110N06 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON)switching applications. Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (Typ)55V 5.2 m 110A Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Te

..3. Size:1351K goford
g110n06 to252.pdf

GOFORDG110N06.Description The G110N06. uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 11055V 5.8 5.4 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characteriz

0.1. Size:3507K goford
g110n06k.pdf

GOFORD G110N06KGeneral Description The G110N06 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON)switching applications. Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (Typ)55V 5.2 m 110A Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Tes

9.1. Size:919K oriental semi
sfg110n12pf.pdf