G110N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: G110N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO251 TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для G110N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G110N06 даташит

 ..1. Size:1551K  goford
 g110n06 to252 to251.pdf pdf_icon

G110N06

GOFORD G110N06 General Description The G110N06 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching applications. Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (Typ) TO-252 TO-251 55V 5.2 m 110A Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test

 ..2. Size:1574K  goford
 g110n06 to220.pdf pdf_icon

G110N06

GOFORD G110N06 General Description The G110N06 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching applications. Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (Typ) 55V 5.2 m 110A Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Te

 ..3. Size:1351K  goford
 g110n06 to252.pdf pdf_icon

G110N06

GOFORD G110N06. Description The G110N06. uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 4.5V (Typ) @ 10V (Typ) m m 110 55V 5.8 5.4 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characteriz

 0.1. Size:3507K  goford
 g110n06k.pdf pdf_icon

G110N06

GOFORD G110N06K General Description The G110N06 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching applications. Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (Typ) 55V 5.2 m 110A Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Tes

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... G20N20, G2304, G2305, G2502, G2503, G100N03, G100N04, G10N10, NCEP15T14, G120N04, G120N04A, G15P04, G1815, G1816, G1825, 15P03, 16N10