30P10A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 30P10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO251 TO252
Аналог (замена) для 30P10A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
30P10A даташит
30p10a to252 to251.pdf
GOFORD 30P10A Description The 30P10A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-10V (Typ) -4.5V -100V 39 m 33 m -30 A Super high dense cell design Advanced trench process technology Re
30p10a to220.pdf
GOFORD 30P10A Description The 30P10A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-10V (Typ) -4.5V -100V 39 m 33 m -30 A Super high dense cell design Advanced trench process technology Re
agm30p10a.pdf
AGM30P10A Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Typical output Characteristics 1.2 50 VGS=-10V 1 40 0.8 30 VGS=-4.5V 0.6 20 0.4 10 0.2 0 0 0.5 1 0 Drain-Source voltage (V) 0 50 100 150 200 Temperature ( C) Fig.3 Threshold Voltage V.S Junction Temperature Fig.4 Resistance V.S Drain Current Junction Temperature 30 -50 50 150 0 20 -0.
agm30p10ap.pdf
AGM30P10AP P- Channel Typical Characteristics -3V TC=25 impulse=250uS -3.5V -4.5V 25 -6V -10V -2.5V Vds Drain-Source Voltage (V) -Vgs Gate-Source Voltage (V) Figure 1. On-Region Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics VGS= 0V Note TJ=25 VGS=-4.5V 25 VGS=-10V -V F ,Forward Voltage [V] -I D - Drain Current (A) Figure 4. Body Diode Forward Voltage F
Другие MOSFET... 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , 28P55 , P60NF06 , 30P55 , 3205PL , 3205TR , 3400L , 3401A , 3401L , 40N10K , 40P04 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor






