Справочник MOSFET. G1010

 

G1010 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: G1010

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 50.8 ns

Выходная емкость (Cd): 671.5 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для G1010

 

 

G1010 Datasheet (PDF)

1.1. shsmg1010.pdf Size:51K _igbt

G1010
G1010

SENSITRON SHD739601 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 2049, REV. - Formerly part number –SHSMG1010 1000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, LOW VCE IGBT ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 1000 - - V IC = 3 mA, VG

1.2. rej03g1010 2sk2393ds.pdf Size:113K _renesas

G1010
G1010

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 1.3. g1010.pdf Size:2584K _goford

G1010
G1010

GOFORD G1010 Features • VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 8.5m 100A 60V Ω • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • UPS • High efficiency switch mode power supplies Description Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Drain-Source Voltage 60 V DSS V Gate

1.4. shsmg1010.pdf Size:51K _sensitron

G1010
G1010

SENSITRON SHD739601 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 2049, REV. - Formerly part number –SHSMG1010 1000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, LOW VCE IGBT ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 1000 - - V IC = 3 mA, VG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top